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工藝開發(fā)研究員(J38419)
面議 北京 應(yīng)屆畢業(yè)生 學(xué)歷不限
  • 全勤獎
  • 節(jié)日福利
  • 不加班
  • 周末雙休
京東方 最近更新 3185人關(guān)注
職位描述
該職位還未進(jìn)行加V認(rèn)證,請仔細(xì)了解后再進(jìn)行投遞!
1. 負(fù)責(zé)VR LTPO新技術(shù)項目開發(fā),完成技術(shù)可行性評估、工藝路線制定及產(chǎn)品不良改善等;
2. 負(fù)責(zé)TFT相關(guān)疑難及突發(fā)異常攻克、穩(wěn)定性提升、特性優(yōu)化及評價系統(tǒng)的建立;
3. 負(fù)責(zé)LTPS/Oxide小尺寸or窄溝道器件的工藝開發(fā)及理論研究工作;
4. 對團(tuán)隊成員相關(guān)TFT器件方向?qū)I(yè)問題進(jìn)行澄清并提供改善方向,加強(qiáng)團(tuán)隊共同認(rèn)知;
5. TFT器件專業(yè)人才培養(yǎng)及指導(dǎo);
教育程度:碩士
工作經(jīng)歷:
8年以上
a)具備LTPO器件開發(fā)經(jīng)驗,包括但不限于Oxide小尺寸or窄溝道器件開發(fā),DIBL效應(yīng)和SCE效應(yīng)研究,高遷氧化物及光穩(wěn)材料開發(fā)等;
b)具備LTPO器件特性改善經(jīng)驗,包括但不限于Vth均一性,Mobility及Ion提升,△L改善等;
c)掌握LTPO器件穩(wěn)定性改善方法,具備TFT 器件擊穿能力(High Voltage Breakdown Characteristic),偏壓穩(wěn)定性(VoltageStress stability: PBTS/NBTS/HJS/HDCS),光照穩(wěn)定性(Lightstability: NBTIS/PBTIS),溫度穩(wěn)定性(Temperature sensitivity)等相關(guān)改善經(jīng)驗;
d)能夠搭建TFT特性優(yōu)化及評價系統(tǒng)。理解LTPO器件結(jié)構(gòu)及工藝需求,熟悉薄膜評價手段及方法,掌握膜層缺陷改善及界面改善方法;熟悉Etch工藝,掌握Etch Profile or Taper及Bias改善方法;掌握離子注入以及退火等相關(guān)工藝極其對特性的影響,并能夠整合以上工藝進(jìn)行器件特性改善。
e)掌握TCAD 軟件,能夠通過TCAD 建模來進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝下材料水平的器件結(jié)構(gòu),輔助進(jìn)行工藝調(diào)試優(yōu)化;
聯(lián)系方式
注:聯(lián)系我時,請說是在四川人才網(wǎng)上看到的。
工作地點
地址:北京大興區(qū)北京市亦莊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)西環(huán)中路12號 核心能力大樓
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詳細(xì)位置,可以參考上方地址信息
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